Pamięci GDDR6 pojawią się w przyszłym roku. Tymczasem nowa pamięć produkcji Samsunga została już doceniona przez komisję CES.

Ewolucji układów graficznych towarzyszy rozwój pamięci VRAM. NVIDIA i AMD podążają dwiema różnymi ścieżkami. O ile „czerwoni” stawiają na superszybkie moduły HBM, o tyle obóz „zielony” trzyma się modułów GDDR w kolejnych odsłonach. W 2018 roku zobaczymy kolejną generację tych ostatnich: GDDR6.

Samsung poinformował, że jego 16-gigabitowy układ pamięci GDDR6 otrzymał nagrodę Najlepszej Innowacji CES 2018, w swojej kategorii. CES odbędzie się w styczniu, ale teraz trwa jednak CES Unveiled New York, mniejsza impreza, na której CES  już rozdaje CES 2018 Innovation Awards.

Nagrodzona pamięć GDDR6 Samsunga (fot. Samsung)

Nagrodzony moduł o nazwie kodowej K4ZAF325BM-HC14 to 16-gigabitowa kość GDDR6 działająca pod napięciem 1,35 V. Jest to pierwszy tego typu VRAM Samsunga. Firma, specjalnie na nowojorską imprezę, przygotowała wersje pokazowe, gdyż finalny produkt nie jest jeszcze gotowy.

Co jest innowacyjnego w tym układzie? K4ZAF325BM-HC14 działa z prędkością aż 16 Gb/s, co skutkuje przepustowością na poziomie 64 GB/s. Jak przekłada się to na faktyczne prędkości?

GDDR6
16 Gbps
GDDR5X
11 Gbps
GDDR5X
10 Gbps
GDDR5
8 Gbps
384-bitowa szyna pamięci
Przepustowość 768 GB/s 528 GB/s 480 GB/s 384 GB/s
256-bitowa szyna pamięci
Przepustowość 512 Gb/s 352 GB/s 320 Gb/s 256 GB/s

768 GBps przy 384-bitowej magistrali to naprawdę dużo. Biorąc pod uwagę nadchodzącą, także w pierwszym kwartale 2018 roku, premierę kart NVIDIA Volta, możemy spodziewać się, że czeka nas wtedy prezentacja możliwości nowych pamięci VRAM Samsunga.

 

Źródło: chip, samsung

Polecane: