Według nieoficjalnych źródeł pierwszym mobilnym układem typu SoC (System-on-Chip) wykonanym w 7 nanometrowym procesie technologicznym będzie najprawdopodobniej Qualcomm Snapdragon 855.

14 lutego br. Qualcomm pochwalił się pierwszym układem wykonanym w przełomowym, 7-nanometrowym procesie technologicznym. Nie był to jednak procesor mobilny lecz bezprzewodowy modem LTE Qualcomm Snapdragon X24 zdolny do (teoretycznej) transmisji danych nawet z prędkością 2 Gbit/s. To jednak nie koniec niespodzianek. W takim samym procesie technologicznym będzie najprawdopodobniej produkowany przyszły chipset Snapdragon 855.

W debiutującym za kilka dni flagowym smartfonie Samsunga (Galaxy S9) zobaczymy rzeczywistą współpracę układu Snapdragon 845 z modemem X20 Qualcomma (zdolnym do transmisji z maks. prędkością rzędu 1,2 Gbit/s). Zatem naturalnym wnioskiem jest, że w kolejnej generacji flagowców Samsunga możliwy będzie mariaż już ogłoszonego modemu X24 ze spodziewanym, ale wciąż jeszcze nie ogłoszonym oficjalnie układem Snapdragon 855.

Jeden z leaksterów opublikował informację, jakoby partnerzy kontraktowi Qualcomma potwierdzili plany przyszłego układu SoC w 7 nanometrowym procesie technologicznym. Mamy zatem trzy informacje: potwierdzoną oficjalnie produkcję modemu LTE X24 (7 nm), nie potwierdzoną oficjalnie, ale bardzo prawdopodobną produkcję chipsetu Snapdragon 855 (także 7 nm) oraz deklarację Samsunga, że firma będzie gotowa do masowej produkcji 7 nanometrowych układów na początku 2019 roku. Tym samym można założyć, że kolejna generacja Samsunga Galaxy S10 (o ile tak właśnie będzie się nazywać) będzie już wyposażona w pakiet 7 nanometrowych układów.

Co tak naprawdę daje nam mniejszy proces technologiczny? Korzyści to przede wszystkim redukcja poboru mocy, przy jednoczesnym wzroście wydajności układów. Jest na co czekać.

 

 

 

 

Źródło: chip