Toshiba ogłosiła, że w trzecim kwartale bieżącego roku rozpocznie produkcję pierwszych 64-warstwowych układów 3D NAND. To wyzwanie rzucone Samsungowi, który podobne układy będzie produkował kwartał później.

3D NAND

Pierwsze kości 3D NAND powstały w 2013 roku w fabrykach Samsunga. W układach tego typu komórki pamięci są ułożone warstwami, co poprawia pojemność oraz tempo transferu danych.

3D NAND 64 warstwy

Toshiba zaczęła wytwarzać 3D NAND dopiero w ubiegłym roku. Korzysta jednak przy tym z technologii SONOS (semiconductor-oxide-nitride-oxide-semiconductor, półprzewodnik-tlenek-azotek-tlenek-półprzewodnik) podczas gdy Samsung wykorzystuje TANOS (Titanium, Alumina, Nitride, Oxide, Silicon – tytan, tlenek glinu, azotek, tlenek, krzem). Technika Toshiby pozwala łatwiej zwiększać liczbę warstw, jest jednak ogólnie bardziej skomplikowana i mniej produktywna.

Polecane:

C/2010 X1 - Co się dalej dzieje z kometą Elenin
W kierunku Międzynarodowej Stacji Kosmicznej ISS leci kawałek satelity Iridium 33
Ewakuowano platformy w Zatoce Meksykańskiej, zbliża się potężna burza tropikalna
USA - Rzeki atmosferyczne przyczyną opadów na zachodnim wybrzeżu kraju, są one tunelami aerodynamicz...
USA - 120 samochodów zderzyło się na jednej z autostrad, przyczyną bardzo zła pogoda [Video]
Ziemia w wysokiej podczerwieni z GOES 13 i 15, długość fali 6.5um ukazuje ciepło i ruch wilgoci [Vid...
Kręgowce wymierają 114 razy szybciej niż normalnie, 1/4 ssaków zagrożona jest wyginięciem
Petlawad, Indie - Eksplozja butli gazu zawaliła budynek restauracji w stanie Madhja Pradeś, zginęły ...
Włochy - W pobliżu epicentrum wczorajszych trzęsień ziemi 80 procent domów nie nadaje się do zamiesz...