Nowa technologia wytwarzania pamięci 3D NAND opracowana przez Western Digital pozwoli produkować pojemniejsze nośniki SSD i innych typów masowych pamięci półprzewodnikowych. Pierwszych modeli z nowymi układami 3D NAND możemy się spodziewać nie wcześniej niż w przyszłym roku.

Nowe typy pamięci 3D NAND pozwolą znacząco zwiększyć pojemność nośników SSD i wszelkiego rodzaju pendrive’ów czy innych urządzeń, w których dane przechowywane są w tego typu układach. Projektując pamięci inżynierowie Western Digital zastosowali nowy standard o nazwie BiCS4. Pamięci 3D NAND produkowane zgodnie z nową specyfikacją składają się z 96 warstw komórek pamięci. Dzięki temu uzyskali 50-proc. wzrost pojemności w stosunku pamięci produkowanych w starszym standardzie BiCS3, gdzie warstw komórek było tylko 64.


Gęstsze upakowanie nośnika informacji na tej samej powierzchni laminatu daje większą powierzchnię sumaryczną SSD wykorzystującego nowe typy układów. Opracowanie nowszego standardu BiCS4 nie oznacza automatycznie rezygnacji z BiCS3. Nośniki SSD i pamięci flash starszego typu wciąż będą produkowane, bo ta właśnie ta technologia jest już w pełni sprawdzona.

Tymczasem pierwsze układy 3D NAND BiCS4 trafią do producentów sprzętu i partnerów firmy Western Digital najwcześniej w drugiej połowie 2017 roku. Będą to pojedyncze układy 256-gigabitowe, jednak docelowo proces technologiczny BiCS4 ma umożliwiać produkowanie układów o pojemności jednego terabita.

 

Przewiduje się, że układy 96 warstwowe układy 3D NAND będą produkowane co najmniej do 2020 roku, kiedy to spodziewany jest kolejny skok rozwojowy w technologii półprzewodnikowej. Warto też zauważyć, że obecny rozwój odbywa się na kilka równoległych w zasadzie sposobów. Na przykład firma Hynix zaprezentowała w kwietniu br. pierwszy układ 3D NAND TLC wykonany w technologii 72-warstwowej, stanowiącej rozwiązanie przejściowe pomiędzy 64- a 96-warstwowymi układami 3D NAND.

Co więcej, Hynix również pokazał wtedy układ 256-gigabitowy, czyli oferujący taką samą pojemność jak zapowiadane przez Western Digital pierwsze 96-warstwowe pamięci. W dalszej perspektywie gęstsze upakowanie komórek pamięci na tej samej powierzchni pozwoli nie tylko na znaczne zwiększenie pojemności nośników półprzewodnikowych (SSD, flashdyski itp.) ale również – przy masowej produkcji – zredukować ceny tych produktów.

 

Źródło: WD, chip

Polecane: